W/SiC纳米多层膜界面微结构研究

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:by_huang
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本文采用双靶交替磁控溅射方法制备了W/SiC纳米多层膜,并用高分辨电镜对多层膜截面形貌及界面微结构进行了分析,结果表明:W/SiC纳米多层膜具有良好的调制结构,其中W为多晶,SiC为非晶,且W晶粒垂直于膜面的方向上的长大受到调制周期的限制,W与SiC形成完全非共格界面,该界面具有宏观平直微观粗糙的特点,在界面上存在一个模糊的过渡层,该过渡层由W与SiC的成份混合区和W的结构过渡区构成。
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