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利用真空还原方法，通过合理控制时间和真空退火温度，制备出具有优良热致相变特性的VO2薄膜，并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电阻温度系数进行了研究。结果表明，不同制备参数对所得薄膜的结构和价态有显著影响，从而对VO2的电阻温度系数产生较大调整。
利用制备参数的改变调整VO2薄膜的电阻温度系数
【摘 要】
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利用真空还原方法，通过合理控制时间和真空退火温度，制备出具有优良热致相变特性的VO2薄膜，并对不同真空还原时间、真空退火温度和衬底条件下制备的VO2 薄膜结构和半导体相的电
【机 构】
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四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年3期
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