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以化学沉淀法制备的ＷＯ３微粉作为气敏基体材料，以Ａｕ２Ｏ（或ＨＡｕＣｌ４）及ＮＨ４ＶＯ３为主要掺杂剂制成的气敏元件对ＮＨ３具有较高的灵敏度和优良的选择特性。
高选择性NH3敏元件
【摘 要】
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以化学沉淀法制备的ＷＯ３微粉作为气敏基体材料，以Ａｕ２Ｏ（或ＨＡｕＣｌ４）及ＮＨ４ＶＯ３为主要掺杂剂制成的气敏元件对ＮＨ３具有较高的灵敏度和优良的选择特性。
【机 构】
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吉林大学电子工程系
【出 处】
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云南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1997年2期
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