基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器

来源 :2004全国图像传感器技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zlbqnsd

【摘要】

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本文介绍了一种基于CHRT公司0.35μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块

【作者】

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刘宇王国裕赵洪信崔昭华

【机构】

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西安交通大学,陕西,西安,710049;中科院半导体所,北京,100083

【出处】

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2004全国图像传感器技术学术交流会

【发表日期】

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2004年12期

【关键词】

：

图像传感器填充因数动态数字双采样 FPN CMOS

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本文介绍了一种基于CHRT公司0.35μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT0.35μmsalicide2P4M工艺流片.

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