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采用虚拟制造技术对0.8 μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化,确定了主要的工艺参数.在此基础上,对全工艺过程进行仿真,得到虚拟制造器件和软件测试数据,所得结果与实测数据吻合得很好.
基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化
【摘 要】
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采用虚拟制造技术对0.8 μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化,确定了主要的工艺参数.在此基础上,对全工艺过程进行仿真,得到虚拟制造器件和软件测试数据,所得结果与实测数据吻合得
【机 构】
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清华大学微电子学研究
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2002年3期
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