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ＳｉＧｅ与ＳＯＩ：模拟／混合信号电路的先导技术亦然摘编在当今众多模拟／混合信号工艺技术中，又出现两种新兴技术。这就是正在崭露头角的硅－锗异质结双极晶体管（ＳｉＧｅＨＢＴ）工艺和已经在大多数先进的互补双极（ＣＢ）工艺中大显身手的绝缘体上硅（ＳＯＩ）技术...
SiGe与SOI：模拟／混合信号电路的先导技术
【摘 要】
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ＳｉＧｅ与ＳＯＩ：模拟／混合信号电路的先导技术亦然摘编在当今众多模拟／混合信号工艺技术中，又出现两种新兴技术。这就是正在崭露头角的硅－锗异质结双极晶体管（ＳｉＧｅＨＢＴ）工艺和已经在大多数先进的互补双极
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1994年3期
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