【摘 要】
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1 前言第三代太阳电池的开发rn太阳电池,主要是由做在半导体基片上的pn结组成.如图1所示若在pn结处射入太阳光,则在半导体内部激发出电子-空穴对,在内部电场作用下,电子向n侧
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1 前言第三代太阳电池的开发rn太阳电池,主要是由做在半导体基片上的pn结组成.如图1所示若在pn结处射入太阳光,则在半导体内部激发出电子-空穴对,在内部电场作用下,电子向n侧.空穴向p侧迅速流动,产生光生电功率.现在广泛使用的是厚度200～350μm的单晶硅,及用铸造法制作的多晶硅太阳电池.最近为了降低硅太阳电池的制造成本,开发了薄膜太阳电池.在薄膜太阳电池的情形下由于光吸收层的厚度仅为0.2～3μm左右,使用的材料大大减少.现在还在开发非晶硅、微结晶硅、CdTe、Cu(InGa)、Se2(CIGS)等太阳电池.rn
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