反应溅射a-GeNx:H薄膜的喇曼和电子自旋共振谱

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:like_scdx
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<正> 为了进一步提高非晶硅太阳电池的光-电转换效率,必须对太阳的全光谱进行有效的吸收,因而就必须获得光学带隙(Eopt)可调制的非晶薄膜材料,即要制备出Eopt比a-Si:H(1.8eV)大的和小的(称窄带隙材料)薄膜材料,以使它有效地吸收太阳光谱中的短波和长波部分;亦即需要将“单层”太阳电池(pin-a-Si:H)改进为“多层”或称为“叠层”太阳电池。在这一方面已有a一Si:H/a-SiGe:H叠层电池,共效率η>13%。我们将N和H掺入a-Ge中,可获得窄带隙a-GeNx:H光电薄
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