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使用真空热蒸发镀膜法，在OLED层状结构中引入不同厚度的LiF作阳极修饰层，制备了结构为ITO／LiF／TPD／Alq、／Al的器件。LiF超薄层的引入较好地修饰了ITO表面，减少了阳极和有机层界面缺陷态的形成，增强了器件的稳定性。实验结果表明：LiF层有效地阻挡空穴注入，增强载流子注入平衡，提高了器件的亮度和效率，含有1nm厚LiF空穴缓冲层器件的性能最好，效率较不含缓冲层器件提高了近1．5倍。