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针对普通温度传感器存在响应时间长、无法快速测量瞬态温度以及薄膜热电偶引线困难的技术难题，研制了一种响应速度快、测量精度高、引线方便的薄膜瞬态温度传感器。采用直流脉冲磁控溅射技术，在嵌入NiCr—NiSi平行电极丝的陶瓷基体端面依次沉积NiSi功能薄膜和SiO，绝缘保护薄膜。利用自行研制的静态标定系统对薄膜传感器的静态性能进行了研究，结果表明所研制传感器在50—400℃范围内具有良好的线性和热稳定性，塞贝克系数为41．2μV／℃，非线性误差不超过0．05％，改变NiSi薄膜的厚度对传感器的塞贝克系数影响很小