【摘 要】
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采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明：在SiO2沟槽宽度相同的
【机 构】
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东北大学材料与冶金学院,重庆大学动力工程学院
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采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明：在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.
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