全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型

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提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义。
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