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本文评述了GaAs等有关化合物半导体材料的新进展,如9kg重HB-GaAs的生长工艺及HPLECGaAs单晶及其工艺设备的进展状况。并对GaAs IC和场效应晶体管、光电集成、量子阱和超晶格及可见光激发器等领域的研究进行了展望。
GaAs等化合物半导体的现状与发展趋势
【摘 要】
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本文评述了GaAs等有关化合物半导体材料的新进展,如9kg重HB-GaAs的生长工艺及HPLECGaAs单晶及其工艺设备的进展状况。并对GaAs IC和场效应晶体管、光电集成、量子阱和超晶格
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1989年2期
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