【摘 要】
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给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
The design principles of Si / SiGe / SiHBT at room tem
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,西安交通大学微电子研究所
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给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
The design principles of Si / SiGe / SiHBT at room temperature and low temperature are given and discussed. Pointed out the difference between low temperature and room temperature HBT design. These principles can be used to optimize the design specific requirements of Si / SiGe / SiHBT.
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