论文部分内容阅读
采用HRTEM研究了Ni-Si共晶的位向关系及相界面的微观结构。研究表明共晶体之间的位向关系为(1 11)_(Ni)∥(111)_(Ni3Si)且[110]_(Ni)∥[211]_(Ni3Si)。它们之间形成这样的位向关系符合界面能量最低原则,使材料性能达到最优状态。两相在〈111〉向的错配度为5%,界面产生错配位错来吸纳相界面两侧的错配,两相界面为半共格界面。