InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。 InGaAs / GaAs strained quantum wells (QW) were grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) to improve the surface quality of strained QW growth devices and devices by reducing the growth temperature, increasing the growth rate, and using a strain buffer layer (SBL) Fluorescence (PL) spectroscopy. Experiments show that the quality of strain QW is improved by optimizing the process conditions and using SBL. The grown QW structure is used for the fabrication of 1054 nm laser. The tested device has lower threshold current and higher single-sided slope efficiency with better performance.
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