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利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究，完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟。充分考虑应力应变的影响因素，首次使用指数函数形式的应力应变模型，使模拟结果更加可靠。通过改变衬底温度，生长停顿时间，得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论。结果发现，适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点。