超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

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设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA)。因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配,同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0.144mm^2。仿真实验显示,在3.1—10GHz超宽频带内,新型UWB LNA实现了低于4.5dB的噪声系数、高达20dB的增益(增益
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