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提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础，应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．该方法适用范围广．以一个0．3μm×280μm商用器件的一组寄生参数为基础，对该方法进行了验证。
一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法
【摘 要】
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提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础，应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．该方法适用范围广．以一个0．3μm×280μm商
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年4期
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