【摘 要】
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实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在
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实验为研制不同的界面层来构成MIS结构,制作了若干InSb(?)样品用以代表不同工艺阶段。经标准的清洗后得到了具有天然氧化层的样品。采用立式反应器进行低温化学汽相淀积,在上述样品上淀积了260(?)SiO_2层。淀积时,氧和硅烷(N_2作输运气体)在220℃下在靠近样品处混合,从而只在样品表面上形成SiO_2。对被有氧化层的样品用化学法进行纵向剥蚀,以检测其成份和结构的差异。
Experiments for the development of different interface layer to form the MIS structure, produced a number of InSb (?) Samples used to represent different stages of the process. After standard cleaning a sample with native oxide was obtained. Low Temperature Chemical Vapor Deposition was carried out using a vertical reactor. 260? SiO? Layers were deposited on the above samples. During deposition, oxygen and silane (N 2 as a transport gas) were mixed near the sample at 220 ° C to form SiO 2 only on the sample surface. Oxide samples were chemically etched longitudinally to examine differences in composition and structure.
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