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【正】日前,中国科学院半导体研究所常凯研究组,提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相,通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。中国科学院半导体研究所常凯研究组继前
半导体材料砷化镓／锗拓扑相研究获重要突破
【摘 要】
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【正】日前,中国科学院半导体研究所常凯研究组,提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相,通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge
【出 处】
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功能材料信息
【发表日期】
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2014年1期
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