【摘 要】
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毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京10002
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毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.
The fabrication technology of the millimeter-wave transistor is the basis of microwave circuit design and manufacture.From the point of optimizing the structure of the device, a novel InP-based HEMT device with zigzag source and drain is proposed.It is proved by experiments that this structure can reduce the number of Near the effect of the source and drain to improve the morphology of the source and drain to improve the device made of the finished yield obtained with good DC and microwave characteristics of the transistor, the transconductance of 1050mS / mm, the threshold voltage of -1.0V, the cut-off frequency 120GHz.
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