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基于第一性原理计算,确定了3种稳定未被报道的Nb2SiTe4基化合物(A2BX4:Nb2SiSe4,Nb2SnTe4和Ta2GeTe4),研究了其电子结构,光学性质以及应力工程对其电子结构的调控.计算结果表明上述3种化合物具有类似Nb2SiTe4的窄带隙值、强的光吸收性能以及显著的光学各向异性,可用于光电器件之中.其晶格常数范围为6.04Å≤a≤6.81Å,7.74Å≤b≤8.15Å.Ta2GeTe4的晶格参数与Nb2SiTe4几乎相同,带隙值减小了0.15 eV,