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通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高.硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.
钛酸钡中的硼间隙及其对PTCR效应的影响
【摘 要】
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通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2004年3期
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