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在石墨衬底上分别制备了具有（220）和（400）择优取向的多晶硅薄膜.首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层，以及先制备 ZnO 过渡层，再在 ZnO 过渡层上制备非晶硅薄膜层；然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化，使其形成多晶硅薄膜籽晶层.XRD 测试表明，未引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度（220）择优取向，而引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度（400）择优取向；最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积（CoCVD）制备多晶硅薄膜.根据 SEM、XRD、拉曼测