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基于德温特DII专利数据库，利用Thomson Data Analyzer等工具从全球专利发展态势、技术发展趋势、专利权人专利布局、功能和应用领域分布等方面进行了分析总结。结果显示，硅衬底镓氮器件从2011年以来快速发展，日本在硅衬底镓氮器件的研究方面具有较大竞争优势，我国还是停留在研究阶段，相关的专利技术缺乏核心竞争力。目前研究热点集中在二极管和晶体管，微波器件、放大器、射频器件等是目前的研发空白点，相关技术有待突破。