实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:CHENGXB
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。 1 Mbit DRAM has broken through the device practical research stage, the focus of process development has gradually shifted to 4M-bit DRAM technology. 4M-bit DRAM is indeed the earliest LSI mass-produced in the form of micro-graphics, but a large number of technological innovations are necessary to break the 1 micron bar width. LSI Research Institute of Japan’s Mitsubishi Electric Corporation, published the key to realizing 4M-bit DRAM at the International Solid State Devices and Materials Conference (Kobe) and VLSI Symposium (San Diego) in 1984 - some of the basic image processing technologies.
其他文献
2007年7月31日晚,省烟草商业系统独家捐资800万元的“2007慈善医疗金叶卡”助医项目启动,省政府顾问、省慈善总会常务副会长罗桂求 On the evening of July 31, 2007, Tobac
氯气泄漏事件在国内外时有发生,常给国家和人民生命财产造成损失。不管你的身体多么强壮,吸入过量氯气都会引起呼吸道损伤,严重时会引起急性肺水肿,抢救不当可能会造成窒息
陈凯教授,陕西勉县人,生于1946年1月5日,因病医治无效,于2008年5月11日14时49分在北京逝世,享年62岁。 Professor Chen Kai, Mianxian County, Shaanxi Province, was born
记得征集抗美援朝文物时,在陈光钟烈士生前战友的带领下,我们找到了烈士的遗孀黄嫩妹。迎接我们的是一位十分瘦小、脊柱弯曲几乎成90度的七旬老人。得知我们的来意,老人从里
教会学生学习是落实素质教育的关键,也是培养学生创新精神和创新能力的有效途径。尤其是当前科技飞速发展,知识总量成倍增长的周期日趋缩短。如何使学生掌握科学的学习方法,
道路桥梁工程中引道路基以及桥台之间会存在着差异沉降的问题,这对于公路桥梁的整体质量也有着很大的影响,车辆在行驶的过程中也常常会出现跳车的现象,这样也就为人们的驾驶
国家西部大开发战略的实施,为西部地区的发展和生态环境建设提供了千载难逢的历史机遇,然而西部地区的现实生态环境较为恶劣,干旱、缺水严重威胁着新植幼树的成活和生长发育
实现一兆位DRAM需要解决的严重问题之一就是与数据线充、放电有关的功耗问题。为解决这一问题,本文提出了能使功耗减少大约1/4的三种方法:多路数据线结构、512刷新周期以及芯
作文是小学语文教学的重点,也是难点。文章从如何命题、怎样开头以及怎样写好正文等三个方面,论述小学语文作文的指导策略。 Composition is the focus of primary school C
本文主要结合城市规划的相关理论,具体论述了分析了市政中道路给排水的设计以及规划中存在问题,并提出了具体的意见和建议,希望能够给相关的市政工作人员必要的参考和借鉴。