【摘 要】
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1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,
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1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。
1 Mbit DRAM has broken through the device practical research stage, the focus of process development has gradually shifted to 4M-bit DRAM technology. 4M-bit DRAM is indeed the earliest LSI mass-produced in the form of micro-graphics, but a large number of technological innovations are necessary to break the 1 micron bar width. LSI Research Institute of Japan’s Mitsubishi Electric Corporation, published the key to realizing 4M-bit DRAM at the International Solid State Devices and Materials Conference (Kobe) and VLSI Symposium (San Diego) in 1984 - some of the basic image processing technologies.
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