【摘 要】
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讨论了含有一个混合层的GaN/β-SiC(100)(2×1)重构界面模型,在此基础上提出了(2×1)混合界面在层轨道表象中的微扰势形式,计算了立方相GaN/β-SiC(100)异质结中N/Si
【机 构】
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河南教育学院物理系,郑州大学物理工程学院
【基金项目】
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河南省自然科学基金，河南省高校青年骨干教师资助项目
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讨论了含有一个混合层的GaN/β-SiC(100)(2×1)重构界面模型,在此基础上提出了(2×1)混合界面在层轨道表象中的微扰势形式,计算了立方相GaN/β-SiC(100)异质结中N/Si界面的电子结构和波矢分辨的层态密度,详细讨论了混合界面的原子结构对界面电子结构和层态密度的影响.结果表明:混合界面降低了表面态的对称性,能量简并消失并产生新的界面态.层态密度计算结果显示,几乎所有界面态都局域在界面附近,界面上新形成的化学键使半共振态在界面的一侧高度局域,在另一侧为扩展态.
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