【摘 要】
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六边形发射极的自对准 In Ga P/ Ga As异质结具有优异的直流和微波性能 .采用发射极面积为 2μm× 10μm的异质结双极型晶体管 ,VCE偏移电压小于 15 0 m V,膝点电压为 0 .5 V
【机 构】
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中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心 北京100029,北京100029,北京100029,北京100029
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六边形发射极的自对准 In Ga P/ Ga As异质结具有优异的直流和微波性能 .采用发射极面积为 2μm× 10μm的异质结双极型晶体管 ,VCE偏移电压小于 15 0 m V,膝点电压为 0 .5 V(IC=16 m A) ,BVCEO大于 9V,BVCBO大于 14 V,特征频率高达 92 GHz,最高振荡频率达到 10 5 GHz.这些优异的性能预示着 In Ga P/ Ga As HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景
The hexagonal emitter self-aligned In Ga P / Ga As heterostructure has excellent DC and microwave performance.Using a heterojunction bipolar transistor with an emitter area of 2 μm × 10 μm, the VCE offset voltage is less than 150 mV, a knee voltage of 0.5 V (IC = 16 m A), a BVCEO of greater than 9 V, a BVCBO of greater than 14 V, a characteristic frequency of up to 92 GHz and a maximum oscillation frequency of 105 GHz These excellent properties are predictive of In Ga P / Ga As HBT Has Broad Application Prospects in the Field of Ultra-High Speed Digital Circuits and Microwave Power Amplifiers
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