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本文通过影响掺杂立方碘化铊晶片稳定性的因素来研究该晶片的表面相变,x 光背射法劳厄图表明拋光介质影响表面稳定性;用乙醚介质的稳定性最大,无水酒精介质次之,而水介质的稳定性最小,表面相变也最容易。红外光谱测试表明,晶体中溶质的含量和晶体抉陷是导致掺杂立方碘化铊晶片表面相变的内在因素。光学显微术表明退火能够消除抛光时产生的微晶层和减少晶片缺陷,从而是抑制晶片表面相变的重要手段。