富士通、TI竞推1Mb以上FRAM

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日本经济新闻引述Semiconductor Reporter报导指出,期盼已久的铁电RAM(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)终于又有令人振奋的消息,自从富士通微电子美国分公司(Fujitsu Microelectronics America)日前推出两款IMb FRAM芯片,并声称该公司的1Mb FRAM芯片已达到量产阶段以来,在FRAM领域耕耘已7年之久的通讯芯片大厂TI亦马上回应指出,预计推出0.13微米工艺4Mb嵌入式FRAM(embedded FRA
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