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对低温阳极键合特性进行了研究。通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水(DIW)中不同时间,研究硅表面H基和氧化硅分子数量对键合的影响。结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1 h的键合效果最佳。并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100°C下烘烤30 min可以有效减少气泡的数量和尺寸。由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的。