正电子湮灭术在测量金刚石膜空位型缺陷中的应用

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对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空垃型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论。 The research status of positron annihilation (PAS) applied to the detection of vacancy defects in diamond thin films is reviewed. The information of the concentration and size of vacant defects is obtained from the data of positron lifetime spectrum and Doppler broadening factor The methods were summarized and summarized, and some of the problems that need to pay attention to the research of positron emission tomography were discussed and discussed.
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