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用射频磁控溅射法制备了具有Au／（Si／SiO2）／pSi结构的样品，利用I-V特性曲线和电致发光（EL）谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究，用位形坐标理论模型分析的结果表明，在SiO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心，Au膜中的电子和p型Si中的空穴在较高的电场下以Fowler-Nordheim（F-N）隧穿方式进入SiO2薄膜，并通过其中的缺陷中心复合而发光。