【摘 要】
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本文采用电子束蒸发法,室温下在Si（400）的基片上生长含锗（Ge）填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射（Raman Scattering）、X射线
【机 构】
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云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
【基金项目】
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the International Cooperation in Science and Technology Project（2011DFA62380）
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本文采用电子束蒸发法,室温下在Si（400）的基片上生长含锗（Ge）填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射（Raman Scattering）、X射线衍射（X-ray Diffraction）、高分辨电子扫描显微镜（HRSEM）、光学显微镜和热重差热分析（DSC）等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si（11
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