【摘 要】
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本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点。根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式。由此提出了两种确定少子产生寿命纵向分布的新方法。对一些样品进行了测量和计算。结果表明,与瞬态电流—电容法(I—C法)相比,瞬态电容法(C—t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便。它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的
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本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点。根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式。由此提出了两种确定少子产生寿命纵向分布的新方法。对一些样品进行了测量和计算。结果表明,与瞬态电流—电容法(I—C法)相比,瞬态电容法(C—t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便。它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布。
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