【摘 要】
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从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以
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从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益。其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。关键词
Three devices are used to illustrate the application of hydrogen and oxygen injection in different aspects: (1) A high quality N-SI-N + buried layer is formed by oxygen injection, which is applied to a source gate facing the MESFET to overcome the defects that the source, (2) the N-layer of the P + -N - N + layer is implanted by hydrogen injection to reduce the BC junction capacitance of the HBT so as to improve its high-frequency characteristics; (3) Oxygen injection planar planar structure of the HPT, in order to reduce the compound current, improve the photoelectric gain. In particular, the energy, fluence and annealing temperature of the selected ion implantation are emphasized. Key words
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