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模拟研究了过模矩形波导WR10中n型硅探测芯片对TE10模亚毫米波的响应。针对过模波导WR10中内置n型硅芯片的亚毫米波探测结构，推导了基模工作时的灵敏度表达式。采用三维电磁场时域有限差分方法，模拟计算了过模波导中300～400GHz频带的TE10模亚毫米波与硅芯片的相互作用，分析了探测结构中电压驻波比和芯片内平均电场随硅芯片参数变化的规律。结果表明，在相同的芯片参数下，过模探测结构并不影响电压驻波比和芯片内平均电场的大小，但两者随频率变化的波动程度增大。在300～400GHz工作频带内，优化得到了性能较