【摘 要】
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本文对用准泡发射区基区工艺制备的SiGe异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究。SiGe HBT在偏置电压VCE=4V和偏置电流Ic=300mA时截止频率fT=7.5GHz。在共射结构C类工作状态下,SiGe异质结双极晶体管工作在900MHz时,连续波
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,香港科技大学电机与电子工程系香港
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本文对用准泡发射区基区工艺制备的SiGe异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究。SiGe HBT在偏置电压VCE=4V和偏置电流Ic=300mA时截止频率fT=7.5GHz。在共射结构C类工作状态下,SiGe异质结双极晶体管工作在900MHz时,连续波输出功率为5W,集电极转化效率为63%,功率增益为7.4dB。
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