【摘 要】
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提出了一种新的采用载流导线的表面双磁光阱(MOT)方案(即双U型导线磁光阱方案).通过改变中间U型导线中的电流大小,即可将一个双磁阱连续地合并为一个单磁阱,反之亦然.详细计
【机 构】
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华东师范大学物理系,光谱学与波谱学教育部重点实验室,上海,200062
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提出了一种新的采用载流导线的表面双磁光阱(MOT)方案(即双U型导线磁光阱方案).通过改变中间U型导线中的电流大小,即可将一个双磁阱连续地合并为一个单磁阱,反之亦然.详细计算和分析了上述双U型载流导线磁光阱方案的磁场及其梯度的空间分布,研究发现当导线中的电流为600 A,z方向均匀偏置磁感应强度为-4.0×10.T时,双U型导线方案产生的两个磁阱中心的磁场梯度约为1.5×10-3～2.5×10-3 T/cm,结合通常制备磁光阱时所用的三维粘胶(Molasses)光束即可在基底表面附近形成一双磁光阱.理论分析表明在弱光近似下,每个磁光阱中所能俘获的85Rb原子数约为106量级,相应的磁光阱温度约为270μK.由于双磁光阱可以独立制备,所以双U型导线方案特别适用于制备双样品磁光阱,并用于研究双原子样品的冷碰撞性质.
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