【摘 要】
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用反应沉积法(RDE)制备了一系列铁钴硅化物即Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射(RBS)确定.本文研究了样品的光学性质:室温下在0.26~4.80 eV的光子能量范围
【机 构】
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复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系
【基金项目】
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This project was su pported by the Natural Science Foundation of China,SRCAP
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用反应沉积法(RDE)制备了一系列铁钴硅化物即Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射(RBS)确定.本文研究了样品的光学性质:室温下在0.26~4.80 eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱.实验发现,Fe(1-x[ WTBZ〗)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a) 对于β相的Fe(1-x)CoxSi2 样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b)对于同时存在β相和Σ相的混合相Fe(1-x)CoxS i 2样品,其
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