【摘 要】
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使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．
Conventional hyd
【机 构】
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中国科学技术大学研究生院,清华大学微电子所
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使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．
Conventional hydrogenated amorphous silicon (a-SiH) thin films are crystallized into nanocrystalline silicon (nc-Si) thin films using a three-stage rapid thermal process using hydrogen removal, high temperature nucleation and low temperature growth. The film emitted blue-green light at room temperature, excited by an Ar + laser at a wavelength of 457.9 nm.
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