HVPE方法给高铟含量LED带来希望

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用氢化物汽相外延(HVPE)方法已成功地制造出稳定的In0.43Ga0.57N材料,从而使得该材料大有希望成为一流绿光LED的制造材料体系。制造高铟含量材料的TDI公司声称,HVPE可提升LED的制造技术水平。TDI的一位负责人指出,三氯甲镓和三氯甲铟先驱物是达到绿光GaN基LED所必需的铟含量的? The stable In0.43Ga0.57N material has been successfully fabricated by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process, promising the material a promising first-class green LED manufacturing material system. TDI, which makes materials with high indium content claims that HVPE can improve the manufacturing technology of LEDs. A person in charge of TDI pointed out that trichloromethanes and trinitroredium indium precursors to reach the green GaN-based LED indium content necessary?
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