【摘 要】
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利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡（ITO）导电玻璃为基底,采用单质金属Cu靶作为溅射靶,在O2和Ar的混合气氛下沉积了Cu2O薄膜。通过调控溅射压强,研究了脉冲磁控溅射沉积法在
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,楚雄师范学院物理与电子科学学院
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利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡（ITO）导电玻璃为基底,采用单质金属Cu靶作为溅射靶,在O2和Ar的混合气氛下沉积了Cu2O薄膜。通过调控溅射压强,研究了脉冲磁控溅射沉积法在不同溅射压强下对Cu2O薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比（O2/Ar）为20∶90的气氛条件下,在2-3Pa的溅射压强范围内,可获得纯相的Cu2O薄膜;薄膜表面形貌依赖于溅射压强,薄膜表面粗糙度的均方根（RMS）值随溅射压强的增大而减小;在ITO上沉积Cu2O薄膜后,薄膜的光学吸收边红移至7
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