P型长波Hg_(1-x)Cd_xTe材料MBE生长技术研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:florrie79
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用分子束外延的方法在GaAs(211)B衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好.在适当的热处理条件下,材料P型电学参数达到了较高水平,并具有良好的可重复性 The P-type long-wavelength HgCdTe material and the 32 × 32 long-wavelength hybrid infrared focal plane array have been fabricated on GaAs (211) B substrate by molecular beam epitaxy. The uniformity of the material and the repeatability of the parameters of the growth material Good sex. Under appropriate heat treatment conditions, the material P-type electrical parameters to achieve a high level, and has good repeatability
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