【摘 要】
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在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻
【机 构】
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中国科学院大学,北京100049;中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203;中国科学院微电子研究所,北京100029;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,广州510535
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在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题.文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应.在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法.最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势.
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