Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜

来源 :理化检验：物理分册 | 被引量 : 0次 | 上传用户：poss8879

【摘要】

：

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用

【作者】

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王书运庄惠照高海永

【机构】

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山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

：

理化检验：物理分册

【发表日期】

：

2005年9期

【关键词】

：

Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层氨化射频磁控溅射扫描电镜透射电镜 Ga2O3 thin films ZnO buffer layers Ammoniat

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.

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