一种高压集成电路工艺的抗辐射加固

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承接了一项对AT&T公司现有的功率集成电路工艺(BCDMOS)从总剂量、γ剂量率、SEU和中子四方面进行核加固的研究课题。研究工作的重点是加固和优化我们的CMOS、DMOS和npn器件。初步的结果表明,抗核强度比我们原有的商品化产品工艺大大提高。 Undertook a research project on AT & T’s existing Power Integrated Circuit Process (BCDMOS) nuclear reinforcement from four aspects: total dose, γ dose rate, SEU and neutron. The focus of research is to consolidate and optimize our CMOS, DMOS and npn devices. The preliminary results show that the nuclear resistance intensity is much higher than that of our original commercial product.
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