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IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试。通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth（阈值电压）的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正。
高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定
【摘 要】
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IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试。通过对芯片测试参数的分析,提出了可通
【机 构】
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无锡广播电视大学,株洲中车时代电气有限公司
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2017年10期
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