两步镀膜Ti／Al／Ti／Au的n型GaN欧姆接触研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：happysanban

【摘要】

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报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/A

【作者】

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管志斌王立江风益叶建青

【机构】

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南昌大学材料科学研究所,南昌大学材料科学研究所,南昌欣磊光电科技有限公司

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

两步镀膜 Ti/Al/Ti/Au 欧姆接触半导体器件 GAN two step depositing Ti/Al/Ti/Au GaN ohmic contac

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报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护 Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为 8.8?10-5 Ω cm2,表面平坦、稳定、易焊线 ,可应用于制作高性能的 GaN器件.

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